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Struktur und Herstellung von TFT-Flüssigkristallen
Jun 13, 2018

TFT Array Panel

l   TFT-LCD stellt die Flüssigkristallsteuerung so ein, dass eine Grauskala erzeugt wird, indem die Spannung am TFT eingestellt wird.

l   Die oberen und unteren zwei Glasschichten bilden zusammen mit Flüssigkristallen einen Plattenkondensator mit einer Größe von etwa 0,1 pF. Um den Bildschirm allgemein auf 60 Hz zu aktualisieren, müssen wir etwa 16 ms aufrechterhalten. Die Spannung kann jedoch nicht so lange aufrechterhalten werden, wodurch sich die Spannung ändert und die angezeigte Grauskala nicht korrekt ist .

l   Daher wird bei dem Panel-Design ein Speicherkondensator CS (Speicherkondensator, etwa 0,5 pF) hinzugefügt, so dass die geladene Spannung bis zur nächsten Aktualisierung beibehalten werden kann.

l   Man kann sagen, dass TFT selbst nur ein Schalter ist, der aus Transistoren besteht. Die Hauptaufgabe besteht darin, zu bestimmen, ob die Spannung am LCD-Gate-Treiber bis zu diesem Punkt aufgeladen ist und wie hoch die Spannung ist, um zu zeigen, wie die Grauskala vom externen LCD-Quellentreiber bestimmt wird .

l   Das häufig verwendete TFT ist das Gerät mit drei Endgeräten. Im Allgemeinen wird die Halbleiterschicht auf einem Glassubstrat hergestellt und die Source und der Drain sind an beiden Enden verbunden. Der Gitterisolierfilm ist der Halbleiterphase entgegengesetzt und hat ein Gitter. Der an das Netz angelegte Strom wird verwendet, um den Strom zwischen der Quelle und dem Ableitungspol zu steuern.

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l   Eine komplette Pixeleinheit besteht aus TFT-Transistor, Speicherkondensator, transparenter Pixelelektrode, Abtastelektrode und Signalelektrode.

l   Die gleichen Pixeleinheiten sind wiederholt angeordnet, um eine Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige zu bilden.

 

Entwicklung eines Dünnschichttransistors TFT TFT

l    TFT ist mit der Erfindung des MOSFET synchronisiert, aber die Geschwindigkeit und Anwendung von TFT ist weit geringer als die eines MOSFET!

l    (1) Das Erfindungspatent des ersten TFT wurde 1934 veröffentlicht - vorstellen.

l    Features: obere Gitterstruktur, aktive Halbleiterschicht aus CdS-Film, Gate-Dielektrikum-Schicht SiO und Gate-Dielektrikum-Schicht mit Verdampfungstechnologie.


l    Geräteparameter: Transkonduktanz gm = 25 mA / V, Trägerbeweglichkeit 150 cm2 / vs, maximale Schwingungsfrequenz 20 MHz.

l    Die Beweglichkeit von CdSe ---- beträgt 200 cm2 / vs

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l    3 1962 wurde das erste MOSFET-Labor eingerichtet.


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l    4 1973 betrug die Migrationsrate der ersten CdSe-TFT-LCD-Anzeige (6 * 6). - TFT betrug 20 cm2 / vs und Ioff = 100 nA. auf 1 nA gesunken. in den vergangenen Jahren.

l    5 1975 haben wir die Ansteuerung von LCD-Anzeigen auf Basis von amorphem Silizium - TFT - realisiert

l    Die Migrationsrate beträgt weniger als 1 cm2 / vs, aber Luft (H2O, O2) ist relativ stabil.

 

l    6, In den 80er Jahren, auf der Grundlage von CdSe, wurde die Forschung zu TFT aus amorphem Silizium weiter vorangetrieben. Darüber hinaus wurde der Polysilizium-TFT realisiert und die Elektronenbeweglichkeit durch Prozessverbesserung von 50 auf 400 verbessert.

l    Die Herstellung von P-SiTFT erforderte zu dieser Zeit eine Abscheidung bei hoher Temperatur oder ein Glühen bei hoher Temperatur.

l     a-Si TFT wird aufgrund seiner niedrigen Temperatur und niedrigen Kosten zum Hauptstrom des aktiven LCD-Laufwerks.

l (7) Nach den 90er Jahren werden wir die Leistung von a-Si, p-Si-TFT weiter verbessern und der Niedertemperatur-Polysilizium-TFT-Herstellungstechnologie besondere Aufmerksamkeit widmen. - Festphasenkristallisationstechnologie aus amorphem Silizium. Organisches TFT und Oxid-TFT sind auch die Forschungsschwerpunkte. - Bio-TFT bietet die Vorteile flexibel, großflächig und so weiter.


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Herausforderung: Einkristall-Halbleiterfilme auf Glas- oder Kunststoffsubstraten züchten.

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