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A-Si-Prozess Vorteile und Ebenen
Oct 10, 2017

A-Si oder genauer gesagt ein -Si: H kann auf einem Substrat bei Temperaturen von 200 bis 250ºC abgeschieden werden und kann mit Typ N und P dotiert werden. Es ist ein ausgezeichnetes photoleitendes Material und wird in dem Prozeß des Dünnfilms verwendet Prozess mit geringem Materialverbrauch, niedriger Depositionstemperatur, geringem Substratmaterial und großer Abscheidefläche können durch Single-Chip-Integration zu großen Photovoltaik-Komponenten verbunden werden, was Energie spart, den Verbrauch reduziert und den Energieverbrauch senkt

Es gibt ein großes Kostenpotential. Außerdem ist der sichtbare Absorptionskoeffizient von amorphem Silizium viel größer als der von monokristallinem Silizium. Um eine zufriedenstellende Absorption zu erhalten, beträgt die Dicke von monokristallinem Silizium 200 & mgr; m, während die Dicke von a-Si nur 0,5 bis 1 & mgr; m für eine -Si-Batterie beträgt. Nach Berechnungen, um 1 Watt Strom zu produzieren, die Verwendung von monokristallinen Silizium Herstellung von Photovoltaik-Komponenten, die Menge von 15 ~ 20 Gramm und die Verwendung von a-Si, die Menge von nur 0,023 Gramm. Es wird geschätzt, dass nach der extensiven Nutzung der Sonnenenergie im ersten Jahrhundert die Verwendung von a-Si die übermäßige Nachfrage nach Polysilizium durch photovoltaische Geräte erheblich verringern wird und einen gewissen Einfluss auf die Entwicklung der Elektronikindustrie haben wird.

Die a-Si-Komponente in einem kommerziellen Outdoor-stabilen Wirkungsgrad beträgt etwa 5%, ist aus Multi-Junction-Technologie hergestellt a-Si: H / a-Si: H / a-Si, Ge: H Drei-Knoten-Komponente stabile Effizienz hat 8% erreicht , in der a-Si-Bereich der 4800cm2 Film hat Fuji Electric Company die beste Effizienz von 7% erreicht, die beste Öffnungsfläche Effizienz im Bereich von 1cm2a-Si ist 13,2%.